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申请/专利权人：成都瑞迪威科技有限公司;西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种具有天线散热和双频去耦功能的AiP封装结构，属于封装技术领域，包括天线层、设置于天线层下表面的天线介质板、设置于天线介质板下方的堆叠EBG结构、设置于堆叠EBG结构下方的封装层和芯片；堆叠EBG结构包括自下而上设置的金属地板、第一EBG结构、第二EBG结构；芯片包裹于封装层中，其背面与堆叠EBG结构具有连接关系。本发明通过在天线介质板下方增加堆叠EBG结构，在天线间形成阻带，提供天线层中贴片天线间的去耦能力，增强天线的电性能，同时为芯片增加了天线端散热通道，提升了芯片散热性能。

主权项：1.一种具有天线散热和双频去耦功能的AiP封装结构，其特征在于，包括：天线层，所述天线层含有至少一个贴片天线（9）；天线介质板（11），所述天线介质板（11）设置于天线层下表面，其内部设置有天线馈电线（10）；堆叠EBG结构（8），设置于天线介质板（11）下方；所述堆叠EBG结构（8）包括自下而上设置的金属地板（5）、第二EBG结构（7）、第一EBG结构（6）；封装层（16），所述封装层（16）设置于堆叠EBG结构（8）下方；芯片（18），所述芯片（18）具有主动表面，设置于堆叠EBG结构（8）下方，包裹于封装层（16）中，所述芯片（18）的背面与堆叠EBG结构（8）连接，所述芯片（18）的背面位于芯片主动表面的相对面；所述封装层（16）下侧表面设置有基板（20），所述基板（20）上侧表面设置有散热底板（17），基板（20）下侧表面设置有对外焊球（22），芯片（18）主动表面朝上，放置于所述散热底板（17）上侧表面，芯片（18）通过键合引线（19）实现与所述基板（20）间的电气连接，所述键合引线（19）包裹于所述封装层（16）中；或所述封装层（16）下侧表面设置有基板（20），所述芯片（18）放置于所述基板（20）上方，所述基板（20）下侧表面设置有对外焊球（22），所述芯片（18）主动表面朝下，所述芯片（18）背面与所述堆叠EBG结构（8）之间夹设有导热物质，所述堆叠EBG结构（8）通过垂直互连结构（15）、金属通孔和焊球（14）或通过垂直互连结构（15）、金属通孔向下连接至所述对外焊球（22）；或所述芯片（18）主动表面朝下，所述封装层（16）下侧表面设置有对外焊球（22），所述芯片（18）背面与所述堆叠EBG结构（8）之间夹设有导热物质，所述堆叠EBG结构（8）通过垂直互连结构（15）、焊球（14）和金属通孔向下连接至所述对外焊球（22）。

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