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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种去除硅片抛光表面蜡痕的工艺方法，所属硅片抛光加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将不二越的抛光线贴付模式选择PlatePass模式，进入不加工硅片的模式。第二步：开始加工时，将12块陶瓷盘按正常加热，冷却，运输至粗抛前。第三步：进行粗抛。第四步：进行中抛。第五步：进行精抛。第六步：采用陶瓷盘药液毛刷进行刷洗，刷洗的温度为65℃，刷洗的时间为90S。第七步：准备48枚硅片用经过抛光处理的12块陶瓷盘进行4枚贴付加工，正常加工完进行洗净，测试平坦度。具有操作便捷、省时省力和效果好的优点。解决了残蜡导致的平坦度异常发生的问题。
主权项：1.一种去除硅片抛光表面蜡痕的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：将不二越的抛光线贴付模式选择PlatePass模式，进入不加工硅片的模式；第二步：开始加工时，将12块陶瓷盘按正常加热，冷却，运输至粗抛前；第三步：进行粗抛，粗抛液与去离子水质量比例为1：20，流量6±2Lmin，定盘转速35rpmmin,中心转速77rpmmin,加工时间12min；第四步：进行中抛，中抛液与去离子水质量比例为1：20，流量6±2Lmin,定盘转速30rpmmin,中心转速66rpmmin,加工时间12min；第五步：进行精抛，精抛液与去离子水质量比例为1：15，流量1.8±2Lmin,定盘转速20rpmmin,抛头转速20rpmmin,加工时间12min；第六步：采用陶瓷盘药液毛刷进行刷洗，刷洗的温度为65℃，刷洗的时间为90S；第七步：准备48枚硅片用经过抛光处理的12块陶瓷盘进行4枚贴付加工，正常加工完进行洗净，测试平坦度。
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权利要求：
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