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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种改善金属损耗的方法及NAND器件制造方法，属于半导体领域。该改善金属损耗的方法包括提供一半导体结构，所述半导体结构至少包括形成多个由SiN层、TEOS层、TiN层依次自下而上堆叠的叠层，相邻所述叠层之间具有沟槽；在所述沟槽填充SOC涂层，所述SOC涂层至少将TiN层之间的沟槽部分填充；将位于所述TiN层的SOC涂层去除，以暴露出所述TiN层；对暴露出的TiN层进行刻蚀，以扩大所述TiN层之间的开口；去除剩余部分的SOC涂层。本发明通过将除TiN层以外的沟槽通过SOC涂层进行覆盖，SOC涂层能够很好地对金属层进行保护，当对TiN层进行刻蚀时，能够避免造成金属的减少，从而能够避免由于产生侧掏造成的半导体器件阻值的增加。
主权项：1.一种改善金属损耗的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构至少包括形成多个由SiN层、TEOS层、TiN层依次自下而上堆叠的叠层，相邻所述叠层之间具有沟槽；在所述沟槽填充SOC涂层，所述SOC涂层至少将TiN层之间的沟槽部分填充；将位于所述TiN层的SOC涂层去除，以暴露出所述TiN层；对暴露出的TiN层进行刻蚀，以扩大所述TiN层之间的开口；去除剩余部分的SOC涂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 改善金属损耗的方法及NAND器件制造方法
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