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申请/专利权人：杭州得明电子有限公司

摘要：本发明涉及一种反激芯片损耗状态监控方法和系统，方法包括：检测反激芯片的输出电压压降变化，判断其是否超出预设的阈值变化率；使用第一比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第一阈值压降，若超出，则输出翻转信号；使用第二比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第二阈值压降，若超出，则输出翻转信号，其中，所述第一阈值压降小于第二阈值压降；使用计时器在第一比较器输出翻转时刻开始计时，以确定压降变化是否在预设的计时时间T内超出阈值变化率；根据第一比较器和第二比较器的输出翻转信号及计时器的计时结果，判断反激芯片的损耗状态是否正常。能够及时识别电压异常，增强了监控系统的灵敏度和适应性。

主权项：1.一种反激芯片损耗状态监控方法，其特征在于，所述方法包括：检测反激芯片的输出电压压降变化，判断其是否超出预设的阈值变化率；所述检测反激芯片的输出电压压降变化包括：采集并设定反激芯片在正常工作条件下的初始电压值作为基准点；实时监测反激芯片的输出电压，并连续记录电压数据；通过比较连续电压数据，识别电压水平的下降趋势；确定电压压降的发生，记录压降的时间点和持续周期；使用第一比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第一阈值压降，若超出，则输出翻转信号；所述使用第一比较器检测反激芯片输出电压的压降，包括：设定第一阈值压降，用于识别电压压降的初始异常，所述第一阈值是基于反激芯片设计参数和历史运行数据确定的；持续监测反激芯片的输出电压，相应于检测到电压压降超过第一阈值压降，第一比较器即时输出翻转信号；响应于输出翻转信号，对压降事件进行分析，包括压降的幅度、持续时间和发生的频率；记录翻转信号对应的电压压降事件；使用第二比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第二阈值压降，若超出，则输出翻转信号，其中，所述第一阈值压降小于第二阈值压降；所述使用第二比较器检测反激芯片输出电压的压降，包括：设定第二阈值压降，用于识别电压压降的初始异常，所述第二阈值高于第一阈值压降；当反激芯片的输出电压压降连续超过第二阈值压降时，第二比较器输出翻转信号，指示电压压降已达到更高级别的异常状态；记录每次输出电压压降超过第二阈值压降的事件，包括时间戳和压降幅度；使用计时器在第一比较器输出翻转时刻开始计时，以确定压降变化是否在预设的计时时间T内超出阈值变化率；所述使用计时器确定压降变化是否在预设的计时时间T内超出阈值变化率，包括：在第一比较器输出翻转信号的同时启动计时器，以捕捉电压压降变化的起始点；设定计时器的预设时间T，所述预设时间T基于反激芯片的正常响应时间和电压恢复特性确定；在计时器运行期间，持续监测反激芯片的输出电压，记录电压值的每一次变化；响应于计时器到达预设时间T时，停止计时并评估在此时间内电压压降的总变化量；将评估结果与预设的阈值变化率进行比较，以确定电压压降变化是否异常；如果在预设时间T内电压压降变化未超出阈值变化率，则重置监测流程，继续实时监测电压状态；根据第一比较器和第二比较器的输出翻转信号及计时器的计时结果，判断反激芯片的损耗状态是否正常；所述根据第一比较器和第二比较器的输出翻转信号及计时器的计时结果，判断反激芯片的损耗状态是否正常包括：收集第一比较器和第二比较器输出的所有翻转信号，以及对应的计时器记录；清理翻转信号数据，通过滤波和异常值剔除，排除异常值和噪声干扰；计算在预设时间T内电压压降变化的统计特征，包括平均压降值、标准偏差和变化率；通过与正常操作条件下的预期模式进行比较，确定电压压降变化是否在正常范围内；基于预处理后的翻转信号，通过分析和比对历史数据，对当前损耗状态进行评估；根据评估结果，将损耗状态分类为“正常”或“异常”，其中“正常”表示电压压降变化符合预期模式，“异常”表示存在超出预期的损耗；对当前损耗状态进行评估包括：定义并标记历史数据集中的电压压降变化事件，将其分为“正常”和“异常”两类；利用历史数据集中的正常和异常事件，训练SVM模型，确定其分类边界；将清理后的翻转信号数据和统计特征作为输入，应用训练好的SVM模型进行当前损耗状态的评估；通过SVM模型，根据学习到的模式，对输入的特征向量进行分类，输出损耗状态的预测结果；根据SVM模型的输出，将反激芯片的损耗状态分类为“正常”或“异常”。

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