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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及雪崩保护电路。用于当主开关包括并联连接的两个或更多个较小MOSFET开关时检测电路故障并且断开主开关的电路和技术。本公开的电路装置包括使用与主开关并联布置的保护开关的保护电路开关。保护开关电路被配置为在主开关电路检测到故障并且切断对负载的供电之后当能量耗散时接替主开关MOSFET，但是作为电感存储在电缆线束中的能量可能导致电流继续流经主开关MOSFET。耗散这种存储的能量可能导致主开关的MOSFET中的雪崩事件。当主开关MOSFET的击穿电压未对准时，本公开的保护电路在主开关关断之后不久获取更多电流。
主权项：1.一种电路，包括：主开关电路，被配置为将电源连接到负载，所述主开关电路包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其中所述多个MOSFET并联布置；保护开关电路，并联连接到所述主开关电路，并且其中所述保护开关电路在传导时被配置为向所述负载输送至少一些电流；以及控制电路装置，连接到所述保护开关电路的控制端子，其中所述控制电路装置被配置为：检测所述主开关电路的负载侧的故障；以及响应于检测到所述故障，使所述保护开关电路在第一持续时间内输送第一大小的电流并且在所述第一持续时间之后的第二持续时间内输送第二大小的电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 雪崩保护电路
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