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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司
摘要：用于借助于具有至少一个第一晶体管、例如场效应晶体管的处理设备处理输入参量的方法，包括：提供第一晶体管和第一忆阻元件，所述第一忆阻元件表征与第一晶体管相关联的第一输入参量，其中能够借助于第一忆阻元件影响与第一晶体管的控制电极相关联的电容的充电电流；给第一晶体管的控制电极加载第一操控参量，所述第一操控参量表征与所述第一晶体管相关联的第二输入参量；基于表征流过所述第一晶体管的负载分段的电流的时间变化过程的第一参量确定第一输出参量，所述第一输出参量表征第一输入参量和第二输入参量的至少一个乘积。
主权项：1.一种用于借助于具有至少一个第一晶体管110-1、例如场效应晶体管的处理设备100；100a处理输入参量的方法，所述方法包括：提供200所述第一晶体管110-1和第一忆阻元件MR-1，所述第一忆阻元件表征与所述第一晶体管110-1相关联的第一输入参量E1，其中能够借助于所述第一忆阻元件MR-1影响与所述第一晶体管110-1的控制电极110-1a相关联的电容C-1a的充电电流；给所述第一晶体管110-1的控制电极110-1a加载202第一操控参量AG-1，所述第一操控参量表征与所述第一晶体管110-1相关联的第二输入参量E2；基于表征流过所述第一晶体管110-1的负载分段110-1-LS的电流I-LS的时间变化过程的第一参量G1确定204第一输出参量A1，所述第一输出参量表征所述第一输入参量E1和所述第二输入参量E2的至少一个乘积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 罗伯特·博世有限公司 借助于具有至少一个晶体管的处理设备处理输入参量的方法、设备、计算装置和用途
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