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申请/专利权人:海南航芯高科技产业集团有限责任公司
摘要:本实用新型公开了一种具有集成clip件的IGBT封装结构和IGBT功率装置,其中,IGBT封装结构包括散热板、导电片、芯片组和clip结构,导电片包括第一导电片、第二导电片和引出E极控制信号的第四导电片,芯片组包括IGBT芯片和二极管芯片,IGBT芯片的C极和二极管芯片的第一电极焊接于第二导电片上,clip结构包括集成clip件,集成clip件包括与IGBT芯片的E极焊接的E极焊接部、与二极管芯片的第二电极焊接的第一焊接部、与第一导电片焊接的第二焊接部、与第四导电片焊接的第三焊接部、连接E极焊接部和第一焊接部的第一连接桥、连接第一焊接部和第二焊接部的第二连接桥,以及连接第一连接桥和第三焊接部的第三连接桥。本实用新型易于定位、工艺少,焊点少,降低了短路率。
主权项:1.一种具有集成clip件的IGBT封装结构,包括散热板、导电片、芯片组和clip结构,所述导电片包括第一导电片、第二导电片和引出E极控制信号的第四导电片,所述芯片组包括IGBT芯片和二极管芯片,所述IGBT芯片的C极和所述二极管芯片的第一电极焊接于所述第二导电片上,其特征在于:所述clip结构包括集成clip件,所述集成clip件包括与IGBT芯片的E极焊接的E极焊接部、与二极管芯片的第二电极焊接的第一焊接部、与第一导电片焊接的第二焊接部、与所述第四导电片焊接的第三焊接部、连接所述E极焊接部和第一焊接部的第一连接桥、连接所述第一焊接部和所述第二焊接部的第二连接桥,以及连接所述第一连接桥和所述第三焊接部的第三连接桥。
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百度查询: 海南航芯高科技产业集团有限责任公司 具有集成clip件的IGBT封装结构及IGBT功率装置
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