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申请/专利权人：AMS有限公司
摘要：本发明涉及一种用于制造用于氢氟酸HF气相蚀刻工艺的平坦化蚀刻停止层13ESL的方法。该方法包括在衬底10的表面之上提供第一平坦化层17，该第一平坦化层17包括图案化及结构化的金属材料20和填充材料22。该方法还包括在第一平坦化层17之上沉积具有低HF蚀刻速率的ESL材料23的平坦化ESL13，其中，平坦化ESL13具有低表面粗糙度和小于150nm，特别是小于100nm的厚度。
主权项：1.一种用于制造适于氢氟酸气相蚀刻工艺的平坦化蚀刻停止层（13）的方法，所述方法包括-在衬底（10）的表面之上提供第一平坦化层（17），所述第一平坦化层（17）包括图案化及结构化的金属材料（20）和填充材料（22）；以及-在所述第一平坦化层（17）之上沉积蚀刻停止层材料（23）的平坦化蚀刻停止层（13），所述蚀刻停止层材料（23）是关于氢氟酸的蚀刻停止材料；-其中，所述平坦化蚀刻停止层（13）的厚度小于150nm，通过执行以下之一来实现所述第一平坦化层（17）的平坦化：化学机械平坦化、剥离工艺、非选择性等离子体蚀刻，并且所述方法是CMOS兼容的制造工艺的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMS有限公司 用于制造蚀刻停止层的方法和包括蚀刻停止层的MEMS传感器
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