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晶圆激光处理用密封氮气环境腔室 

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申请/专利权人:成都莱普科技股份有限公司

摘要:本实用新型公开了一种晶圆激光处理用密封氮气环境腔室,包括密封箱体、陶瓷吸盘、排气管、进气管和DD直驱电机;密封箱体的一侧设置有进料口,进料口活动连接有用于打开或封闭密封箱体的开关门;陶瓷吸盘内置于密封箱体中,用于放置晶圆,陶瓷吸盘的位置和进料口对应设置;排气管和进气管分设于密封箱体相对的两侧,其中,排气管和进气管分设于进料口的两侧,排气管和进气管均和密封箱体的内部连通,进气管连接有氮气气源;DD直驱电机和密封箱体的底部固定连接,并用于驱动密封箱体转动。通过排气管排出氧气,同时注入氮气,控制密封箱体内的氧浓度,提高加工效果。

主权项:1.一种晶圆激光处理用密封氮气环境腔室,其特征在于,包括密封箱体100、陶瓷吸盘200、排气管300、进气管400和DD直驱电机500;所述密封箱体100的一侧设置有进料口110,所述进料口110活动连接有用于打开或封闭所述密封箱体100的开关门600;所述陶瓷吸盘200内置于所述密封箱体100中,用于放置晶圆,所述陶瓷吸盘200的位置和所述进料口110对应设置;所述排气管300和所述进气管400分设于所述密封箱体100相对的两侧,其中,所述排气管300和所述进气管400分设于所述进料口110的两侧,所述排气管300和所述进气管400均和所述密封箱体100的内部连通,所述进气管400连接有氮气气源;DD直驱电机500和所述密封箱体100的底部固定连接,并用于驱动所述密封箱体100转动。

全文数据:

权利要求:

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