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微流控动态混合扩增芯片 

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申请/专利权人:珠海市迪奇孚瑞生物科技有限公司

摘要:本实用新型提供一种微流控动态混合扩增芯片,该芯片包括芯片基板、隔绝层、上盖板、密封盖和电极阵列;电极阵列包括依次相连的移液电极区和反应电极区;上盖板包括盖板反应区,上盖板上设置有反应口,密封盖盖合在反应口上;反应电极区包括沿第一方向依次布置的第一反应电极组和第二反应电极组;在芯片基板上的投影,反应电极区位于盖板反应区内,反应口位于反应电极区内,突出部位于反应口内,第一反应电极组、第二反应电极组均与反应口部分重合,反应口的面积小于反应电极区的面积;芯片基板至盖板反应区间的间距为0.3mm至1mm,反应口侧壁的厚度为0.6mm至2mm。本实用新型能边混匀边加热扩增提升扩增效果并降低加热产生的气泡对荧光读取的影响。

主权项:1.微流控动态混合扩增芯片,包括芯片基板、隔绝层和上盖板,所述芯片基板上设置有电极阵列;所述芯片基板、所述隔绝层和所述上盖板围成液体活动腔,所述液体活动腔与所述电极阵列对应设置;所述电极阵列包括依次相连的移液电极区和反应电极区;所述上盖板还包括盖板反应区;其特征在于:所述上盖板处还设置有反应口,所述反应口与所述液体活动腔连通,所述微流控动态混合扩增芯片还包括密封盖,所述密封盖盖合在所述反应口上;所述反应电极区包括沿第一方向依次布置的第一反应电极组和第二反应电极组;在所述芯片基板上的投影,所述反应电极区位于所述盖板反应区内,所述反应口位于所述反应电极区内,所述第一反应电极组、所述第二反应电极组均与所述反应口部分重合,且所述反应口的面积小于所述反应电极区的面积;所述芯片基板至所述盖板反应区之间的间距为0.3mm至1mm。

全文数据:

权利要求:

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