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申请/专利权人：北京邮电大学

摘要：本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。

主权项：1.一种温度控制装置，其特征在于，所述装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对所述目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，所述温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，所述误差放大器模块与温度传感器电性连接，用于对所述温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据所述电压信号、以及对所述目标芯片的温度要求，确定误差信号；所述PID控制器模块分别与所述误差放大器模块和所述电流监控模块电性连接，用于对接收到的所述误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对所述初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；所述PID控制器模块还包括：迟滞模块，所述迟滞模块还用于对所述目标控制信号进行平滑处理，得到调节控制信号；所述电流监控模块与所述TEC制冷片电性连接，用于接收所述调节控制信号，并根据所述调节控制信号，生成脉冲信号，所述脉冲信号用于调节所述TEC制冷片中的电流的大小和方向；所述温度控制电路模块还包括为所述温度控制电路模块提供预测性分析平台的TEC的瞬态温度调控模型，所述TEC的瞬态温度调控模型包括：目标芯片的温度场、热沉的温度场、TEC冷侧陶瓷板温度场、TEC冷侧温度场、TEC热侧温度场、TEC热侧陶瓷板温度场、散热器温度场、环境温度、负载能量，所述TEC的瞬态温度调控模型还设置有温度控制器和反馈器，所述反馈器实时采样所述目标芯片的瞬态温度信息，所述温度控制器用于根据所述反馈器的反馈信息调控流经所述TEC的电流大小。

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权利要求：

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