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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使基板处理的每个基板的均一性提高。基板处理装置具有：处理容器，其具有对基板进行处理的处理区域；第一喷嘴，其在处理区域的整个区域设置有第一孔，该第一孔向基板供给第一气体；第二喷嘴，其在处理区域的整个区域设置有第二孔，该第二孔向基板供给与第一气体进行反应的第二气体；第三喷嘴，其以与处理区域的一部分对应的方式设置有第三孔，该第三孔向基板供给阻碍第一气体的吸附的吸附阻碍气体；以及气体供给系统，其能够分别经由第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴向基板供给第一气体、第二气体、吸附阻碍气体。
主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其具有能够以排列的状态收纳多个基板且在内部处理所述基板的处理区域；第一气体喷嘴，其在所述处理区域的整个区域设置有第一孔，该第一孔向所述基板供给第一气体；第二气体喷嘴，其在所述处理区域的整个区域设置有第二孔，该第二孔向所述基板供给与所述第一气体进行反应的第二气体；第三气体喷嘴，其以与由所述第一气体和所述第二气体发生反应而产生的反应副产物的量比所述处理区域中的多个所述基板所排列的方向上的其他区域少的区域对应的方式设置有第三孔，该第三孔向所述基板供给含有与所述反应副产物相同的成分的吸附阻碍气体；以及气体供给系统，其能够分别经由所述第一气体喷嘴、所述第二气体喷嘴和所述第三气体喷嘴向所述基板供给所述第一气体、所述第二气体、所述吸附阻碍气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法和存储介质
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