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申请/专利权人：武汉精立电子技术有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司
摘要：本申请属于广角LMD畸变校正领域，具体公开了一种广角LMD畸变标定方法、校正方法、装置及设备，标定方法包括：获取广角LMD拍摄的平面标定图案的取像图像，确定取像图像内各点的坐标；基于广角LMD成像模型和所述各点的坐标进行优化求解，得到广角LMD的内参和外参；获取根据内参和外参对所述取像图像的畸变进行一次校正后得到的各点的校正坐标和各点的预期坐标；基于各点的校正坐标和各点的预期坐标确定广角LMD的局部插值参数；所述局部插值参数用于对一次校正后的取像图像进行局部误差补偿，以对取像图像的畸变进行二次校正。通过本申请，使用畸变解析模型加上局部误差修正的方式进行畸变标定，畸变校正精度高。
主权项：1.一种广角LMD畸变标定方法，其特征在于，包括：获取广角光测量设备LMD拍摄的包含规则排布点阵的平面标定图案的取像图像，确定点阵中各点在取像图像中的坐标；基于广角LMD成像模型和各点的坐标进行优化求解，得到广角LMD的内参和外参；所述内参包括：像距和点阵质心坐标偏差；外参包括：透视变换矩阵；所述取像图像经所述内参和外参校正后，得到一次校正后的点阵取像图像，与所述规则排布点阵存在局部偏差；获取根据所述内参和外参对所述取像图像的畸变进行一次校正后得到的各点的校正坐标和各点的预期坐标；所述各点的预期坐标，通过以下步骤确定：结合所述点阵的规则排布方式、点阵中心处中心点的校正坐标以及点行列间隔对各点的校正坐标更新，得到相对所述中心点按照所述规则排布方式排布时各点的预期坐标；在得到广角LMD的内参和外参之后，基于各点的校正坐标和各点的预期坐标确定广角LMD的局部插值参数；所述局部插值参数用于对一次校正后的取像图像进行局部误差补偿，以对取像图像的畸变进行二次校正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉精立电子技术有限公司 武汉精测电子集团股份有限公司 一种广角LMD畸变标定方法、校正方法、装置及设备
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