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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开提供了一种金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法，涉及半导体技术领域，旨在提高金刚石衬底及金刚石外延层的质量。金刚石衬底的生长方法包括：提供多片金刚石籽晶，金刚石籽晶具有主表面及多个拼接侧面；金刚石籽晶的主表面为100取向；主表面具有相邻的掩膜区和非掩膜区；多片金刚石籽晶包括第一籽晶和第二籽晶；在各金刚石籽晶的主表面上形成第一掩膜层，第一掩膜层位于掩膜区；将第一籽晶的一拼接侧面和第二籽晶的一拼接侧面相贴合；采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一籽晶和第二籽晶之间的拼缝内、第一籽晶的非掩膜区和第二籽晶的非掩膜区生长单晶金刚石。金刚石衬底用作半导体材料。
主权项：1.一种金刚石衬底的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供多片金刚石籽晶，所述金刚石籽晶具有主表面，及环绕所述主表面、且首尾连接的多个拼接侧面；所述金刚石籽晶的主表面为（100）取向；所述主表面具有相邻的掩膜区和非掩膜区；多片所述金刚石籽晶包括第一籽晶和第二籽晶；在各所述金刚石籽晶的主表面上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述掩膜区；将所述第一籽晶的一拼接侧面和所述第二籽晶的一拼接侧面相贴合，所述第一籽晶的非掩膜区和所述第二籽晶的非掩膜区相邻接；采用微波等离子体化学气相沉积法，在所述第一籽晶和所述第二籽晶之间的拼缝内、所述第一籽晶的非掩膜区和所述第二籽晶的非掩膜区生长单晶金刚石。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法
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