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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种倒装BLU发光二极管，其特征在于，包括衬底、依次沉积在衬底一侧的反射率调节层、布拉格反射层以及沉积在衬底另一侧的发光层，反射率调节层包括设于衬底中心的中心图形区、依次围设于中心图形区四周的环形图形区和无图形区，中心图形区和环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，中心图形区的反射凸起与衬底的夹角大于环形图形区的反射凸起与衬底的夹角。本发明的倒装BLU发光二极管，在衬底的正面沿中心向四周设有与衬底夹角依次减小的反射凸起，减少衬底正面出现暗点的产生，有效的提高了二极管的发光均匀性。
主权项：1.一种倒装BLU发光二极管，其特征在于，包括衬底、依次沉积在所述衬底一侧的反射率调节层、布拉格反射层以及沉积在所述衬底另一侧的发光层，所述反射率调节层包括设于所述衬底中心的中心图形区、依次围设于所述中心图形区四周的环形图形区和无图形区，所述中心图形区和所述环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角大于所述环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角；所述布拉格反射层包括按预设周期交替叠设的SiO2层和Ti3O5层，预设周期为10-24，所述布拉格反射层置于锥形体上时，每一层SiO2和Ti3O5等比例的变薄，且所述反射凸起与衬底所夹锐角角度越大，布拉格反射层越薄，置于反射率调节层之上的布拉格反射层的反射率由四周向中心依次减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种倒装BLU发光二极管及其制备方法
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