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申请/专利权人：湖北锐光科技有限公司
摘要：本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统，该硅光电倍增器包括：雪崩光电二极管阵列，其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管，并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围，以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开；淬灭单元，其用于在雪崩光电二极管阵列发生雪崩击穿效应时对雪崩光电二极管阵列进行淬灭，其中，第一雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第二电极连接；第二雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第三电极连接，并且当第二雪崩光电二极管处于工作状态时，在其内形成的耗尽区在深度方向上至少覆盖外延层的一部分。通过利用本申请提供的技术方案，可以实现提高对波长较长的光子的探测效率。
主权项：1.一种硅光电倍增器，其特征在于，所述硅光电倍增器包括：雪崩光电二极管阵列，其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管，并且所述第二雪崩光电二极管设置在所述第一雪崩光电二极管的外围，以将所述第一雪崩光电二极管与所述硅光电倍增器的第一电极间隔开，所述第一雪崩光电二极管和或所述第二雪崩光电二极管包括单光子雪崩二极管；淬灭单元，其与所述雪崩光电二极管阵列对应设置，并且用于在所述雪崩光电二极管阵列发生雪崩击穿效应时对所述雪崩光电二极管阵列进行淬灭；其中，每个所述第一雪崩光电二极管的一端均与所述硅光电倍增器的第一电极连接，其另一端通过对应的所述淬灭单元与所述硅光电倍增器中的作为输出端的第二电极连接；每个所述第二雪崩光电二极管的两端分别与所述硅光电倍增器的所述第一电极和第三电极连接，并且当所述第二雪崩光电二极管处于工作状态时，在其内形成的耗尽区在深度方向上至少覆盖用于形成所述雪崩光电二极管阵列的外延层的一部分；所述第二电极和所述第三电极的极性相同并与所述第一电极的极性相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北锐光科技有限公司 硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统
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