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申请/专利权人:株式会社村田制作所
摘要:本发明提供一种能够提高IDT电极的耐热性和耐功率性的弹性波装置。弹性波装置1具备压电性基板2、以及设置在压电性基板2上的IDT电极3。IDT电极3在将作为母元素的金属元素设为A、将作为添加物的元素设为B时,具有使用了含有母元素A和添加物B的电极材料的层。在将x和y设为任意的正数时,在母元素A和添加物B的二元相图中的添加物B的浓度为50at%以下的区域内,包含由AxBy所表示的化合物的相。二元相图中,在将母元素A的熔点设为Ta、将添加物B的熔点设为Tb、将化合物AxBy的熔点设为Tc时,Ta<Tc、并且Tb‑Ta300℃。电极材料中,化合物AxBy在母元素A中偏析。电极材料中,母元素A的晶粒粒径和化合物AxBy的晶粒粒径为10nm以上且100nm以下。
主权项:1.一种弹性波装置,具备压电性基板、以及设置在所述压电性基板上的IDT电极,所述IDT电极在将作为母元素的金属元素设为A、将作为添加物的元素设为B时,具有使用了含有所述母元素A和所述添加物B的电极材料的层,在将x和y设为任意的正数时,在所述母元素A和所述添加物B的二元相图中的所述添加物B的浓度为50at%以下的区域内,包含由AxBy所表示的化合物的相,所述二元相图中,在将所述母元素A的熔点设为Ta、将所述添加物B的熔点设为Tb、将所述化合物AxBy的熔点设为Tc时,Ta<Tc、并且Tb-Ta300℃,所述电极材料中,所述化合物AxBy在所述母元素A中偏析,所述电极材料中,所述母元素A的晶粒粒径和所述化合物AxBy的晶粒粒径为10nm以上且100nm以下。
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