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申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要:本发明提供一种消除重掺硼缺陷的方法,属于重掺硼硅单晶加工技术领域,包括以下步骤:S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料;S2、化料结束后,将温度降至掺杂温度,向石英坩埚中掺杂锗,其中,纯硼与锗的比例为3:1。本发明通过在重掺硼硅单晶中掺杂锗,由于锗的原子半径大于基体硅原子,硼和锗的共掺杂能相互补偿晶格应变,更好的抑制位错的产生,消除重掺硼容易产生的原生缺陷。并且锗和硅都是4族元素,将锗掺入硅中,不会影响重掺硼硅单晶的电学性能。
主权项:1.一种消除重掺硼缺陷的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将硅料与纯硼放入石英坩埚中进行化料;S2、化料结束后,将温度降至掺杂温度,向石英坩埚中掺杂锗,其中,纯硼与锗的比例为3:1。
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