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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：一种芯片老化方法及装置，老化装置与芯片的驱动电路连接，驱动电路包括倒相器和至少一个选择晶体管；该装置连接倒相器输入端和选择晶体管栅极，倒相器输出端连接选择晶体管漏极，选择晶体管源极以及倒相器的第二电源端接入低电压；倒相器的第一电源端接入高电压，该方法包括向倒相器输出用于在倒相器的输入输出之间形成直流电场的第一电平；或向倒相器输出用于控制第一电源端与输出端导通的第二电平，并向选择晶体管的栅极输出用于在选择晶体管源漏极之间形成直流电场的第三电平，从而使得存在质量问题的驱动电路经加速老化后失效，避免出厂后因驱动电路发生介质经时击穿或热载流子退化，而导致芯片发生行或多行失效。
主权项：1.一种芯片老化方法，其特征在于，所述芯片的驱动电路包括倒相器和至少一个选择晶体管；老化装置分别与所述倒相器的输入端，以及所述至少一个选择晶体管的栅极连接；所述倒相器的输出端与所述至少一个选择晶体管的漏极连接；所述倒相器的第一电源端接入高电压；所述倒相器的第二电源端、以及每个选择晶体管的源极接入低电压；所述老化方法包括：所述老化装置向所述倒相器输出第一电平，其中，所述第一电平用于在所述倒相器的输入端和输出端之间形成直流电场；或者，所述老化方法包括：所述老化装置向所述倒相器输出第二电平，其中，所述第二电平用于控制所述第一电源端与所述输出端之间的通路导通；并向所述选择晶体管的栅极输出第三电平，其中，所述第三电平用于在所述选择晶体管的源漏极之间形成直流电场。
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百度查询： 华为技术有限公司 一种芯片老化方法及装置
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