龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长春理工大学
摘要：本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
主权项：1.一种异质红外SAM-APD材料，其特征在于，由III-V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在所述III-V族吸收层和所述Si倍增结构层之间的III-V族垂直超晶格缓冲层组成；所述III-V族吸收层由InGaAs吸收层和InGaAs接触层组成，所述InGaAs吸收层与所述III-V族垂直超晶格缓冲层邻接；所述Si倍增结构层由依次层叠设置的Si接触层、Si倍增层和Si电荷层组成，所述Si电荷层与所述III-V族垂直超晶格缓冲层邻接；所述Si接触层为重掺杂的n型Si，所述Si倍增层为本征掺杂的Si，所述Si电荷层为重掺杂的p型Si；所述III-V族垂直超晶格缓冲层为InAsGaSbII型垂直超晶格缓冲层或InAsInAsSbII型垂直超晶格缓冲层，所述InAsGaSbII型垂直超晶格缓冲层包括依次层叠设置的GaSb缓冲层、GaSb层和InAs层，所述InAsInAsSbII型垂直超晶格缓冲层包括依次层叠设置的GaAs缓冲层、InAs层和InAsSb层；或者，所述III-V族垂直超晶格缓冲层为InAsGaInSbⅡ型垂直超晶格缓冲层，所述InAsGaInSbⅡ型垂直超晶格缓冲层包括依次层叠设置的GaAs层、GaSb缓冲层、InAs层和GaInSb层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长春理工大学 异质红外SAM-APD材料、异质红外SAM-APD及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号