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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种低副瓣波导缝隙阵列天线及设计方法。本发明将波导缝隙阵列天线中的辐射缝隙部分缝隙进行反向偏移，使缝隙单元分为同相单元和反相单元。同相单元和反相单元之间具有180°的相位差。通过对同相单元和反相单元的位置进行优化，同时实现波导缝隙阵列天线在平行于电场方向的平面和平行于磁场方向的平面的二维低副瓣赋形。本发明具有设计简单、容易实现的特点。
主权项：1.一种低副瓣波导缝隙阵列天线，其特征在于，包括若干根侧面为金属壁，一端为馈电端口的波导；相邻波导之间沿垂直于波导长度方向紧密排布；每一根波导上表面开有若干个平行于波导长度方向的尺寸相同的缝隙单元，所述缝隙单元与波导中线的距离相等；所述缝隙单元排布在波导中线两侧，相邻两个缝隙单元若在中线的同一侧，则为反相单元；相邻两个缝隙单元若在中线的两侧，则为同相单元；通过对同相单元和反相单元的位置进行优化，能够同时实现波导缝隙阵列天线在平行于电场方向和平行于磁场方向的两个平面的二维低副瓣赋形；通过下述步骤对同相单元和反相单元的位置进行设计：步骤S1：根据缝隙阵列规模，初始化缝隙阵列的相位矩阵为同相矩阵并求解其副瓣电平，记为最优副瓣电平；步骤S2：在已有的相位矩阵的基础上，逐一将相位矩阵中的一个同相单元变化为反相单元并求解对应的副瓣电平，求解结束后将反相单元还原为同相单元；步骤S3：选取步骤S2中的最低副瓣电平，记为局部最优副瓣电平；步骤S4：若局部最优副瓣电平比最优副瓣电平小，令最优副瓣电平等于局部最优副瓣电平，并按照对应的方式对相位矩阵进行修改，返回步骤S2；若局部最优最优副瓣电平比最优副瓣电平大，则停止计算，输出此时的相位矩阵和最优副瓣电平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种低副瓣波导缝隙阵列天线
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