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申请/专利权人：常州比太科技有限公司
摘要：本发明涉及太阳能发电技术领域，具体涉及一种全钝化背接触TBC太阳能电池结构及其制备方法，包括如下步骤：步骤S1，对硅片双面抛光；步骤S2，氧化制备第一隧穿SiO2层，沉积一层掺硼非晶硅形成P+poly层，形成图形化的激光SiO2掩膜，并用碱洗；步骤S3，氧化制备第二隧穿SiO2层，沉积一层掺磷非晶硅形成背面N+poly层，形成图形化的激光SiO2掩膜；步骤S4，形成金字塔绒面；步骤S5，沉积一层掺磷非晶硅形成正面N+poly层；步骤S6，将硅片置于高温退火炉管，硅片正面的受光面形成N+前钝化场，硅片背面的P区与N区接触面分别形成P+发射极与N+背钝化场；步骤S7，清洗硅片后依次在硅片的正背面形成钝化膜层和减反射膜层，丝网印刷烧结金属浆料得到电极，制备得到电池片。
主权项：1.一种全钝化背接触TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，对N型基底硅片进行双面抛光，制备带有平坦的碱抛光塔基形貌的硅片表面；步骤S2，对硅片背面氧化制备第一隧穿SiO2层，然后对第一隧穿SiO2层沉积一层掺硼非晶硅形成P+poly层，采用激光诱导氧化技术在硅片背面P区poly形成图形化的激光SiO2掩膜，并用碱洗去硅片背面非掩膜部分的第一隧穿SiO2层和P+poly层；步骤S3，对碱洗后的硅片背面氧化制备第二隧穿SiO2层，然后对第二隧穿SiO2层沉积一层掺磷非晶硅形成背面N+poly层，采用激光诱导氧化技术在硅片背面N区poly形成图形化的激光SiO2掩膜；步骤S4，在硅片的正面形成金字塔绒面，同时去除硅片的背面非掩膜部分的背面N+poly层并在N区和P区隔离区形成绒面；步骤S5，对硅片的正面绒面沉积一层掺磷非晶硅形成正面N+poly层；步骤S6，将硅片置于高温退火炉管，硅片正面的受光面形成N+前钝化场，硅片背面的P区与N区接触面分别形成P+发射极与N+背钝化场；步骤S7，清洗硅片后依次在硅片的正背面形成钝化膜层和减反射膜层，在硅片背面的N区和P区丝网印刷烧结金属浆料得到N区电极和P区电极，制备得到电池片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州比太科技有限公司 全钝化背接触TBC太阳能电池结构及其制备方法
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