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薄基片应力状态求解方法及其装置、仪器、终端、介质 

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申请/专利权人:合肥工业大学

摘要:本发明涉及薄基片应力状态求解方法及其装置、仪器、终端、介质。所述求解方法包括:获取薄基片变形后的曲率;根据曲率通过计算模型得到曲率系数;根据曲率系数通过应变方程得到径向应变和周向应变;根据径向应变和周向应变通过物理公式得到薄基片变形后的应力状态:径向应力和周向应力。利用该方法可以方便快捷的求解得到不同材料和尺寸薄基片的曲率系数,求解薄基片应变,得到薄基片的应力状态,解决现有技术求解薄基片应力状态较为繁琐,拘泥于薄基片的材料和尺寸的技术问题。

主权项:1.一种薄基片变形后的应力状态求解方法,其特征在于,其包括以下步骤:获取薄基片变形后的曲率k;根据曲率k通过计算模型得到曲率系数a和b;其中,所述计算模型设计为: 式中,D为薄基片变形前的直径,h为薄基片变形前的整体厚度,v为薄基片的泊松比,E为薄基片的弹性模量;根据曲率系数a和b通过应变方程得到径向应变εr和周向应变εθ;根据径向应变εr和周向应变εθ通过物理公式得到薄基片变形后的应力状态:径向应力σr和周向应力σθ。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥工业大学 薄基片应力状态求解方法及其装置、仪器、终端、介质

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