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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了一种三维3D存储器件，其包括存储串、被配置为耦合粗化阈值电压Vth_coarse以用于对存储串进行编程的粗化顶部选择栅极TSG线、被配置为对存储串进行编程的字线、被配置为耦合缓冲阈值电压Vth_buffer以用于对存储串进行编程的缓冲TSG线、被配置为耦合细化阈值电压Vth_fine以用于对存储串进行编程的细化TSG线、以及设置在存储串和与存储串相邻的第二存储串之间的粗化TSG切口。3D存储器件可以本质上增大粗化阈值电压Vth_coarse，减少泄漏电流，动态地调整并细化调节存储串的阈值电压Vth，并提高TSG可靠性。
主权项：1.一种三维存储器件，包括：存储串；围绕所述存储串的第一部分的第一栅极触点，所述第一栅极触点耦合到粗化顶部选择栅极TSG线，所述粗化顶部选择栅极TSG线被配置为耦合粗化阈值电压Vth_coarse以用于对所述存储串进行编程；围绕所述存储串的第二部分的第二栅极触点，所述第二栅极触点耦合到被配置为对所述存储串进行编程的字线；以及粗化TSG切口，所述粗化TSG切口延伸到所述存储串的一部分中并且设置在所述存储串和与所述存储串相邻的第二存储串之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于可调整的顶部选择栅极控制的方法和系统
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