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申请/专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
摘要：本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。
主权项：1.一种惯性传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在所述衬底的一侧刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，其中所述第一凹槽、所述第二凹槽以及所述第三凹槽之间均物理隔离；在所述衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；对所述硅晶圆层远离所述衬底的一侧进行光刻，以使所述硅晶圆层远离所述衬底的一侧形成与所述第一凹槽相对应的第四凹槽和与所述第二凹槽相对应的第五凹槽，其中所述第四凹槽和所述第五凹槽之间物理隔离；在所述硅晶圆层远离所述衬底的一侧制作电连接层；对所述硅晶圆层进行对图形化刻蚀，以在所述第三凹槽对应的区域形成通气孔，在所述第一凹槽对应的区域形成第一惯性敏感结构，在所述第二凹槽对应的区域形成第二惯性敏感结构，其中所述通气孔连通所述第一凹槽和第四凹槽，所述第一惯性敏感结构连通所述第二凹槽和所述第四凹槽，所述第二惯性敏感结构连通所述第三凹槽和所述第五凹槽；将所述电连接晶圆与所述电连接层键合；贯通所述衬底，在所述衬底上形成与所述第三凹槽相连通的调压孔，以通过所述调压孔、所述第三凹槽以及所述通气孔调节所述第一凹槽和所述第四凹槽内的气压；熔融所述调压孔远离所述第三凹槽的一端，以密封所述调压孔。
全文数据：
权利要求：
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