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申请/专利权人:三星电子株式会社;国际商业机器公司
摘要:本发明涉及磁性随机存取存储器MRAM堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括:包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层,所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层,所述第一二元合金包括铂‑铝PtAl。
主权项:1.磁性随机存取存储器MRAM堆叠体,包括:包括赫斯勒化合物的第一磁性层;和一个或多个种子层,所述种子层包括:配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体,其中所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方,所述模板化结构体包括:包括铂-铝PtAl的二元合金的层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 国际商业机器公司 磁性随机存取存储器堆叠体、制造其的方法、磁性随机存取存储器阵列、计算机系统和磁性随机存取存储器器件
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