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申请/专利权人：中国地质大学(北京);中国地质大学(北京)郑州研究院;珀丽诗(河南)文化科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料抛光液技术领域，具体为一种宽禁带半导体加工用微纳米气泡抛光液。所述的原位形成微纳米气泡的抛光液，是利用高速研磨球在配置好抛光液中相互撞击产生微小气核制备出含大量的微纳米气泡新型的抛光液。包括以下步骤：1选择合适的氧化剂、磨料、酸碱调节剂和分散剂配置抛光液，2将配置好的抛光液与相应的研磨球放入球磨机中进行球磨。与传统CMP抛光液相比，该方法通过高速研磨球间的撞击力，一方面可降低磨料的粒径并增强其分散性，另一方面可原位产生微纳米气泡增强抛光液的氧化性，提高半导体晶圆表面材料的去除率和表面质量，实现材料高效、超精密、低损伤的抛光。
主权项：1.一种宽禁带半导体加工用微纳米气泡抛光液，其特征是：它是由氧化剂、磨料、PH调节剂、分散剂配制而成。
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百度查询： 中国地质大学(北京) 中国地质大学(北京)郑州研究院 珀丽诗(河南)文化科技有限公司 一种宽禁带半导体加工用微纳米气泡抛光液
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