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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种LED芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法，属于半导体加工技术领域。透明电极由下到上依次包括基底层、n型半导体层、p型半导体层和金属氧化物透明电极层，金属氧化物透明电极层上侧设置有第一电极，n型半导体层上侧设置有第二电极。本发明的金属氧化物透明电极具有较高的透光率和导电性能，能够有效促进LED芯片内部电荷的注入和扩散，从而提高光电转换效率，LED灯具所发出的光线更明亮、均匀，色彩更饱满，可满足不同场景下的照明需求。
主权项：1.一种LED芯片中金属氧化物透明电极，其特征在于，由下到上依次包括基底层、n型半导体层、p型半导体层和金属氧化物透明电极层，金属氧化物透明电极层上侧设置有第一电极，n型半导体层上侧设置有第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种LED芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法
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