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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本发明提供一种基于氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法，通过PS‑b‑PMMA嵌段共聚物薄膜自组装和金属氧化物的连续循环渗透沉积制造，并在PS‑r‑PMMA无规共聚物作为分子刷的作用下，实现含金属氧化物的PMMA纳米柱的形成，并且其方向沿厚度方向延伸，实现导电细丝的定向生长与断裂，从而提高器件的一致性和稳定性，在神经形态系统设计与实现方面具有巨大的应用潜力；另外，该制备方法兼容CMOS工艺，能够高效、低成本制造大规模忆阻器阵列，利于产业化批量生产；再者，在每一个忆阻器阵列交叉点上集成多个阻变层，通过外部电信号的调控，同时导通多个阻变层，从而减少忆阻器阵列制备难度，提高忆阻器阵列的鲁棒性。
主权项：1.一种基于金属氧化物纳米柱通道的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器沿厚度方向依次包括：底部电极、阻变层及顶部电极；所述阻变层包括PS-r-PMMA无规共聚物分子刷薄膜，若干呈阵列排布的含金属氧化物的PMMA纳米柱，以及填充所述含金属氧化物的PMMA纳米柱之间的缝隙的PS薄膜；其中，所述含金属氧化物的PMMA纳米柱沿厚度方向延伸，且其内部沉积有金属氧化物；所述顶部电极与所述底部电极在同一平面上的投影互相垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 基于金属氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法
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