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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明涉及半导体材料制作技术领域，特别涉及一种利于PVD生长高质量非掺杂ε‑Ga2O3薄膜的装置及方法。其装置包括加热器、夹具、耐高温的弹性件、衬底，加热器的中心设有加热台，衬底放置在加热台内，加热器的对角处分别连接有夹具，弹性件固定于衬底和夹具之间，通过改变夹具的位置以改变弹性件的形变量，用于放置靶材的样品托与衬底连接。本发明从ε‑Ga2O3的晶格应变入手，通过使用弹簧夹具降低c轴晶格常数实现ε‑Ga2O3高质量外延；通过装置改善其晶格畸变，使之成为标准晶格，有利于非掺杂ε‑Ga2O3层的外延使无畸变的晶格存在的缺陷数量减少，也使样品的光电性能显著提升。
主权项：1.一种利于PVD生长高质量非掺杂ε-Ga2O3薄膜的装置，其特征在于，包括加热器、夹具、耐高温的弹性件、衬底，所述加热器的中心设有加热台，所述衬底放置在加热台内，所述加热器的对角处分别连接有夹具，所述弹性件固定于衬底和夹具之间，通过改变所述夹具的位置以改变弹性件的形变量，用于放置靶材的样品托与衬底连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) 一种利于PVD生长高质量非掺杂ε-Ga2O3薄膜的装置及方法
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