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申请/专利权人：武汉大学
摘要：本申请涉及一种红光倒装Micro‑LED芯片及其制备方法，红光倒装Micro‑LED芯片包括：基底，所述基底上生长有外延结构；所述外延结构包括n型层、铟组分渐变量子阱有源区和p型层，所述n型层位于所述铟组分渐变量子阱有源区靠近所述基底的一侧，且所述p型层位于所述铟组分渐变量子阱有源区远离所述基底的一侧。本申请通过在芯片的外延结构中采用铟组分渐变量子阱有源区，利用铟组分渐变量子阱有源区中铟组分的渐变增加抵消极化电场导致的势能线性降低，从而抑制俄歇复合过程、缓解大电流下的效率衰减，提高出光颜色的纯度和稳定性，解决了相关技术中红光Micro‑LED芯片有源区中极化电场随波长而增加，导致Micro‑LED芯片发光效率较低和发光波长漂移的技术问题。
主权项：1.一种红光倒装Micro-LED芯片，其特征在于，其包括：基底1，所述基底1上生长有外延结构2；所述外延结构2包括n型层21、铟组分渐变量子阱有源区22和p型层23，所述n型层21位于所述铟组分渐变量子阱有源区22靠近所述基底1的一侧，且所述p型层23位于所述铟组分渐变量子阱有源区22远离所述基底1的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉大学 一种红光倒装Micro-LED芯片及其制备方法
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