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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种低热阻氮化镓倒装封装结构。所述器件结构包括隔离层、有源层、钝化层以及介质插槽阵列；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；有源层上表面除连接源电极、漏电极和栅电极的位置、以及源电极、漏电极和栅电极的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层；钝化层内设置有插槽阵列，插槽阵列放置在栅电极与漏电极之间的钝化层中，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列中的插槽内填充有介质材料。通过在FlipChip封装的基础上采用本发明的结构，在维持器件输出能力不变的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的下降，可广泛应用于多个领域。
主权项：1.一种低热阻氮化镓倒装封装结构，其特征在于，包括隔离层1、有源层2、源电极3、漏电极4、栅电极5、钝化层6以及介质插槽阵列7；隔离层1包括从下至上顺次层叠的衬底01、成核层02和缓冲层03；有源层2包括从下至上顺次层叠的本征层04、插入层05和势垒层06；有源层2位于隔离层1上表面，隔离层1的宽度大于有源层2，形成凸台结构；有源层2上表面的两端分别连接源电极3和漏电极4；在源电极3和漏电极4之间的有源层2上表面淀积栅极金属，形成栅电极5；有源层2上表面除连接源电极3、漏电极4和栅电极5的位置、以及源电极3、漏电极4和栅电极5的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层6，用于保护有源层2；钝化层6内设置有插槽阵列7，插槽阵列7放置在栅电极5与漏电极4之间的钝化层6中，插槽阵列7中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列7中的插槽内填充有介质材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种低热阻氮化镓倒装封装结构
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