龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：日立能源有限公司
摘要：一种方法包括如下步骤：提供半导体主体1，在该半导体主体的顶侧上具有掩模3，其中，至少一个沟槽2从顶侧延伸到半导体主体中。功能部分11与沟槽横向相邻形成。在与沟槽重叠的第一区段31中，掩模比在与功能部分重叠的第二区段32中更厚。使用注入第一类型掺杂剂的方式，在功能部分中形成与沟槽相邻的第一导电类型的第一区域12。将保护层4沉积到掩模上，其中，该保护层在沟槽和功能部分之上横向延伸。使用穿过保护层注入第二类型掺杂剂的方式，在功能部分中形成第二导电类型的第二区域13。第一区域的一部分由此得以保留。该器件可以是垂直沟槽型栅MOSFET或IGBT。
主权项：1.一种用于生产半导体器件100的方法，所述半导体器件是绝缘栅晶体管，所述方法包括：-提供半导体主体1，在所述半导体主体1的顶侧10上具有掩模3，其中，-至少一个沟槽2从所述顶侧10延伸到所述半导体主体1中，其中，所述沟槽2填充有导电材料20，所述导电材料通过施加在所述沟槽2的表面上的绝缘层21而与所述半导体主体1电隔离，并且其中，所述沟槽2是所述绝缘栅的一部分，-与所述沟槽2横向相邻地形成所述半导体主体1的功能部分11，-在与所述沟槽2重叠的第一区段31中，所述掩模3比在与所述功能部分11重叠的第二区段32中更厚；-在所述功能部分11中在所述顶侧10下方且与所述沟槽2相邻地形成第一导电类型的第一区域12，其中，形成所述第一区域12包括：将第一类型掺杂剂穿过所述顶侧10注入到所述功能部分11中；其特征在于，-在形成所述第一区域12之后，将保护层4沉积到所述掩模3上，其中，所述保护层4在所述沟槽2和所述功能部分11之上横向延伸；-在所述功能部分11中在所述顶侧10下方形成第二导电类型的第二区域13，其中，-形成所述第二区域13包括：将第二类型掺杂剂穿过所述保护层4并穿过所述顶侧10注入到所述功能部分11中，-与所述沟槽2相邻的所述第一区域12的至少一部分被保留。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日立能源有限公司 用于生产垂直沟槽型栅MOSFET或IGBT的方法及其对应的半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号