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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明属于放电器技术领域，具体涉及一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法及放电装置，包括选择锶合金粉和钛合金粉制备第一靶材，选择掺杂金属的氧化物作为第二靶材；采用独立的第一靶枪和第二靶枪分别对第一靶材和第二靶材进行溅射，磁控溅射时通过控制工艺参数，使溅射得到的钛酸锶介电薄膜的元素组分比符合预设关系；并对得到钛酸锶介电薄膜进行光子烧结得到钛酸锶介电层；将剪裁后的导电层、第一电介质层、防击穿层和第二电介质层依次堆叠排布，形成多个循环堆叠的模组，连接电极后进行封装，并在封装上层集成IGBT芯片，得到基于钛酸锶介电层的放电装置。
主权项：1.一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1）钛酸锶介电层制备，选择锶合金粉和钛合金粉制备第一靶材，选择掺杂金属的氧化物作为第二靶材；采用独立的第一靶枪和第二靶枪分别对第一靶材和第二靶材进行溅射，磁控溅射时通过控制磁控溅射工艺参数，使溅射得到的钛酸锶介电薄膜的元素组分比符合预设关系，薄膜中的氧来自氧化物靶材和磁控溅射过程中通入的氧氩混合气体；并对得到钛酸锶介电薄膜进行光子烧结得到钛酸锶介电层；步骤（2）将剪裁后的导电层、第一电介质层、防击穿层和第二电介质层依次堆叠排布，形成多个循环堆叠的模组，得到放电功能结构；所述第一电介质层和第二电介质层为步骤（1）得到经光子烧结后的钛酸锶介电层；步骤（3）对步骤（2）得到的放电功能结构连接电极后进行封装，并在封装上层集成IGBT芯片，得到基于钛酸锶介电层的放电装置。
全文数据：
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百度查询： 北京航空航天大学 一种基于钛酸锶介电层的放电装置制备方法及放电装置
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