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申请/专利权人：厦门华信安电子科技有限公司
摘要：本发明涉及电子元件技术领域，特别涉及一种小容值介电体、制备方法及电容，其包括绝缘介质，绝缘介质中设有N层电极层，N层电极层自上往下相互间隔且错位设置，每层电极层之间的错位值能够进行调节；借此，通过调节基础电极层和错位电极层之间的错位值，改变其有效交错长度和有效交错面积，进而达到调节小容值电容的容值的目的，同时对其错位值的调节范围进行限定，避免出现无容值或断路等无效电容的情况。
主权项：1.一种小容值介电体，其特征在于：包括绝缘介质；所述绝缘介质中设有N层电极层N≥2且为整数，所述N层电极层自上往下相互间隔且错位设置，每层所述电极层之间的错位值X能够进行调节，所述错位值X调节范围满足以下条件:d＜X≤LA-d其中，d为电极图形间隙，LA为电极图形长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门华信安电子科技有限公司 一种小容值介电体、制备方法及电容
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