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超材料红外辐射源和气体传感器 

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申请/专利权人:清华大学

摘要:本申请公开了一种超材料红外辐射源和气体传感器,属于红外辐射领域。其中,超材料红外辐射源包括:超材料辐射天线,超材料辐射天线包括超表面层和反射层,超表面层和反射层构成F‑P光学谐振腔;位移执行器,位移执行器包括相对设置的第一执行结构和第二执行结构,第一执行结构包括导电位移区,超表面层设置于该导电位移区上;反射层和第二执行结构设置于一绝缘基板上,第一执行结构和第二执行结构之间的相对距离可调节;微热源,设置于超材料辐射天线的反射层周边。本申请的技术方案可实现辐射波长宽谱可调并提高了集成度,进一步的,还有利于进行低功耗设计。

主权项:1.一种超材料红外辐射源,其特征在于,包括:超材料辐射天线,所述超材料辐射天线包括超表面层和反射层,所述超表面层和所述反射层构成F-P光学谐振腔;位移执行器,所述位移执行器包括相对设置的第一执行结构和第二执行结构,所述第一执行结构包括导电位移区,所述超表面层设置于所述导电位移区上;所述反射层和所述第二执行结构设置于一绝缘基板上,所述第一执行结构的导电位移区和所述第二执行结构之间的相对距离可调节;微热源,设置于所述超材料辐射天线的反射层周边。

全文数据:

权利要求:

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