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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤1：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤2：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤3：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。

主权项：1.一种相变存储器光刻工艺优化方法，其特征在于，包括：步骤（1）：当每片晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口，具体为：掩膜版上有相变存储器的设计电路图形，通过光刻将电路图形置于光刻胶上，再通过刻蚀将光刻胶上的电路图形置于刻蚀层，所述刻蚀层为相变材料层；当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，对每片晶圆在光刻中应用不同的曝光条件；光刻后，对所述相变材料层进行刻蚀，刻蚀后分别对各晶圆上同一特定图形的线宽和边缘粗糙度进行测量；其中，所述同一特定图形为晶圆上不同曝光区域中同一位置的电路图形；根据刻蚀后的测量数据及工艺规格要求，来调整同一特定图形在光刻时的线宽和边缘粗糙度要求，并确定晶圆表面不平整度为α时相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤（2）：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形，具体为：当特定图形周期和线宽不一致时，在光刻中，对每片晶圆的不同曝光区域应用不同曝光条件；光刻后，对相变材料层进行刻蚀，刻蚀后对各曝光条件下不同特定图形的线宽和边缘粗糙度进行测量；其中，所述不同特定图形为晶圆上不同曝光区域中不同位置的电路图形；根据刻蚀后的测量数据及工艺规格要求，来调整不同特定图形在光刻时的线宽和边缘粗糙度要求，并根据刻蚀后的测量数据与预设工艺要求，得出曝光能量与聚焦值，构建基于所述曝光能量与聚焦值的坐标轴，在基于所述曝光能量与聚焦值的坐标轴中作出所有不同特定图形的工艺窗口，取所有不同特定图形的工艺窗口的重叠部分作为共同光刻工艺窗口，将所述共同光刻工艺窗口作为第二光刻工艺窗口；步骤（3）：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。

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