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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及具有自动对准CSL及边缘终止结构的电子装置及其制造方法。制造电子装置的方法包括以下步骤：布置N型半导体主体，具有空间对称的晶格结构，包括有源区和围绕有源区的边缘区域；在边缘区域中形成有意损伤的区域，其中的晶格结构不具有空间对称性；通过随机注入，在损伤区域形成P型边缘终止区域；通过沟道化注入在边缘区域中，在损伤区域处以及对于损伤区域横向处形成电流扩散层CSL。CSL在损伤区域具有最小厚度，在损伤区域的横向处具有最大厚度。该最小厚度小于边缘终止区域的厚度。
主权项：1.一种电子装置，包括：半导体主体，具有第一导电性、第一掺杂值和正面；有源区，被配置成在使用中容纳电子装置的导电沟道；边缘区域，围绕有源区并与有源区在结构上连续，该边缘区域至少部分容纳边缘终止区域，所述边缘终止区域具有与第一导电性相反的第二导电性，并且所述边缘终止区域从所述正面开始沿与所述正面正交的方向延伸进入半导体主体直至具有第一值的最大深度；电流扩散层，在有源区中延伸且部分地在边缘区域中延伸，面向所述正面，其中所述电流扩散层具有第一导电性和大于第一掺杂值的第二掺杂值；其中，电流扩散层在边缘区域中从所述正面开始具有深度，该深度在第二深度值和第三深度值之间可变，第二深度值大于边缘终止区域的第一深度值，并且第三深度值小于边缘终止区域的第一深度值，并且其中所述电流扩散层在边缘终止区域的至少一部分处具有所述第三深度值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 具有自动对准CSL及边缘终止结构的电子装置及其制造方法
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