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申请/专利权人：思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要：本申请提供一种双曝光过程过货条件的确定方法、确定装置和存储介质，双曝光过程过货条件的确定方法包括：将FEM曝光光刻胶的每个切片轮廓分割成多个目标段，对所述每个切片轮廓的多个目标段的特征向量分别与初始光刻参数进行匹配，以获取对应所述初始光刻参数的多个偏差值；对应每个目标段建立机器学习模型，使用每个目标段的特征向量作为输入值，使用所述每个偏差值作为输出值，对所述机器学习模型进行训练；使用训练后的机器学习模型对光刻参数进行随机预测，选取满足预设条件的光刻参数确定目标过货条件。本申请提供的双曝光过程过货条件的确定方法、确定装置和存储介质通过建立机器学习模型预测最佳过货条件，具有成本低、准确性高的优点。
主权项：1.一种双曝光过程过货条件的确定方法，其特征在于，包括：将曝光光刻胶的每个切片轮廓分割成多个目标段，对所述每个切片轮廓的多个目标段的特征向量分别与初始光刻参数进行匹配，以获取对应所述初始光刻参数的多个偏差值；对应每个目标段建立机器学习模型，使用每个目标段的特征向量作为输入值，使用所述每个偏差值作为输出值，对所述机器学习模型进行训练；使用训练后的机器学习模型对光刻参数进行随机预测，选取满足预设条件的光刻参数确定目标过货条件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 思特威(上海)电子科技股份有限公司 双曝光过程过货条件的确定方法、确定装置和存储介质
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