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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极漏极区；位于外延源极漏极区上方的一个或多个层间介电ILD层；延伸穿过ILD层的第一源极漏极接触件，第一源极漏极接触件连接至外延源极漏极区；围绕第一源极漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：蚀刻贯穿第一外延源极漏极区上方的一个或多个层间介电层的第一接触开口；在所述第一接触开口中沿着所述层间介电层的第一侧壁沉积第一牺牲间隔件；在所述第一接触开口中沿着所述第一牺牲间隔件的侧壁沉积第一接触间隔件；在所述第一接触开口中沿着所述第一接触间隔件的侧壁形成第一源极漏极接触件，所述第一源极漏极接触件连接至所述第一外延源极漏极区；以及在沉积所述第一源极漏极接触件之后，去除所述第一牺牲间隔件的部分，以在所述第一接触间隔件的所述侧壁和所述层间介电层的所述第一侧壁之间形成第一孔洞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和形成半导体器件的方法
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