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OPC修正方法 

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申请/专利权人:武汉新芯集成电路股份有限公司

摘要:本发明提供了一种OPC修正方法,所述OPC修正方法包括:提供至少两个不同的基底结构,所述不同的基底结构具有不同的反射率;根据每一个基底结构形成相应的OPC模型;以及,对于待执行光刻工艺的晶圆,根据所述待执行光刻工艺的晶圆的反射率,选取相应的OPC模型进行OPC修正,由此,在OPC模型的形成和利用过程中,均考虑到了晶圆的反射率,从而能够使得OPC模型对于掩膜版的修正适应晶圆的需要,提高了OPC修正方法的修正效果的稳定性。

主权项:1.一种OPC修正方法,其特征在于,所述OPC修正方法包括:提供至少两个不同的基底结构,所述不同的基底结构具有不同的反射率;根据每一个基底结构形成相应的OPC模型;以及,对于待执行光刻工艺的晶圆,根据所述待执行光刻工艺的晶圆的反射率,选取相应的OPC模型进行OPC修正。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉新芯集成电路股份有限公司 OPC修正方法

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