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申请/专利权人：大连交通大学
摘要：本发明涉及一种基于团簇式方法确立的高强导电铜镍钴硅合金及其制备工艺与应用，所述合金通式表示为{A}＝{[Si‑Ni,Co,Cu12]Si,Cu3}1～2{Cu16}14～15，所述超团簇式含有256原子，且进入所述超团簇式的元素成分换算为相应的256原子个数；且Ni、Co、Si元素的比例范围：1.7≤Ni+CoSi≤2.9at.；以及Ni、Co、Si元素在超团簇式中所占据的原子个数范围：6≤Ni+Co≤11个、3≤Si≤5个。此高强高导合金，强度与电导率均高于工业生产铜镍钴硅典型值840MPa、49％IACS。在电子电气领域，包括信息技术与通信领域的电子元件、封装与连接技术等领域中有良好的应用前景。
主权项：1.一种基于团簇式方法确立的高强导电铜镍钴硅合金，其特征在于：所述合金由基体Cu元素、析出强化元素Ni、Co、Si以及不进入超团簇式内的微量元素Pb、Fe、Zn、Mn、Mg组成；其中，所述铜镍钴硅合金采用团簇式方法确立，所述超团簇式含有256原子，所述合金通式表示为{A}＝{[Si-Ni,Co,Cu12]Si,Cu3}1～2{Cu16}14～15，且进入所述超团簇式的元素成分换算为相应的256原子个数；且Ni、Co、Si元素的比例范围：1.7≤Ni+CoSi≤2.9at.；以及Ni、Co、Si元素在超团簇式中所占据的原子个数范围：6≤Ni+Co≤11个、3≤Si≤5个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连交通大学 一种基于团簇式方法确立的高强导电铜镍钴硅合金及其制备工艺与应用
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