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申请/专利权人：中国电子技术标准化研究院
摘要：本发明涉及套刻精度测量领域，公开了一种半导体掺杂浓度分布的测量样片，包括基底，所述基底为多层结构，其每层具有通过梯度控制掺杂材料得到的不同的掺杂浓度，所述基底的每层均嵌入有光刻标记，所述基底的上表面设置有薄膜，所述基底的下表面设置有光电导传感器层，还公开了一种半导体掺杂浓度分布的测量样片制备方法，包括以下步骤：S1、提供一个预先准备的多层半导体基底；S2、利用先进的光刻技术，在每个掺杂层中形成纳米级的标记。通过使用脉冲化学气相沉积法和原子层沉积技术，可以更精确地控制掺杂材料的沉积过程，确保每一层掺杂材料的厚度和成分都严格按照设计要求，该方法较传统的化学气相沉积技术提供了更高的分辨率和重现性。
主权项：1.一种半导体掺杂浓度分布的测量样片，包括基底1，其特征在于，所述基底1为多层结构，其每层具有通过梯度控制掺杂材料得到的不同的掺杂浓度，所述基底1的每层均嵌入有光刻标记4，所述基底1的上表面设置有薄膜2，所述基底1的下表面设置有光电导传感器层3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子技术标准化研究院 一种半导体掺杂浓度分布的测量样片及其制备方法
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