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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。利用蚀刻硬盖覆盖目标层的边缘部分，同时通过蚀刻硬盖的开口暴露目标层的待蚀刻的区域。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。蚀刻硬盖具有框架部分和侧框架。
主权项：1.一种制造光掩模的方法，包括：在待蚀刻的所述光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层，所述光掩模包括背部导电层；利用蚀刻硬盖覆盖所述目标层的边缘部分，同时通过所述蚀刻硬盖的开口暴露所述目标层的待蚀刻的区域；以及通过等离子体蚀刻来蚀刻所述目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀所述背部导电层；其中，所述蚀刻硬盖具有：框架部分，所述框架部分限定所述开口，所述框架部分的底表面包括多个突起，所述多个突起沿着所述蚀刻硬盖的圆周离散设置，并且所述突起与所述蚀刻掩模层接触，并且其中，所述框架部分的底表面的除所述突起之外的其他部分利用间隙而不与所述蚀刻掩模层接触；以及侧框架，所述侧框架的内表面具有突起，所述突起与所述光掩模的侧面接触，并且所述侧框架的突起不同于所述框架部分的突起。
全文数据：
权利要求：
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