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申请/专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
摘要：一种高速FIFO存储器，包括外围电路和存储阵列；外围电路包括读写计数器、空满半满标志产生电路、复位电路、扩展逻辑电路；存储阵列包括读写预充电路、灵敏放大器，以及两个存储单元；读写计数器用于生成读写地址；空满半满标志产生电路用于标识FIFO存储器处于空状态、满状态、半满状态；复位电路用于FIFO存储器的初始化；扩展逻辑电路用于FIFO存储器的深度扩展和字扩展；读写预充电路用于根据两个存储单元的最低位地址的电位，轮流对两个存储单元进行读写数，未进行读写数的存储阵列进行预充电；灵敏放大器用于减小数据在传输路径上的延迟时间。
主权项：1.一种高速FIFO存储器，其特征在于，包括外围电路和存储阵列；外围电路包括读写计数器、空满半满标志产生电路、复位电路、扩展逻辑电路；存储阵列包括读写预充电路、灵敏放大器，以及两个存储单元；读写计数器用于生成读写地址；空满半满标志产生电路用于标识FIFO存储器处于空状态、满状态、半满状态；复位电路用于FIFO存储器的初始化；扩展逻辑电路用于FIFO存储器的深度扩展和字扩展；读写预充电路用于根据两个存储单元的最低位地址的电位，轮流对两个存储单元进行读写数，未进行读写数的存储阵列进行预充电；灵敏放大器用于减小数据在传输路径上的延迟时间；存储阵列为左右阵列结构，采用读写地址的最低位作为选择左右阵列的方式来进行译码，位线预充也采用读写地址的最低位的非来控制，存储器按照如下方式工作：当左边阵列读数或写数时，右边阵列预充；当右边阵列读数或写数时，左边阵列预充；将本来需要两个整周期的充电放电过程改造为上个周期预充和本周期读写，即在本周期的读写时只需要一个放电过程，所以读写速度提高一倍；第一次读数据不从存储阵列中读出；灵敏放大器采用带交叉耦合和差分放大器的二级放大结构。
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权利要求：
百度查询： 北京时代民芯科技有限公司 北京微电子技术研究所 一种高速FIFO存储器
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