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申请/专利权人：通快光电器件有限公司

摘要：一种VCSEL10具有由半导体层构造而成的垂直谐振器结构40。在有源区的第一侧面上布置有p型掺杂的第一区域34并且在有源区的与第一侧面相反的第二侧面上布置有n型掺杂的第二区域30。谐振器结构40在第一布拉格反射器与第二布拉格反射器36，22之间还具有隧道二极管结构26，该隧道二极管结构具有n型重掺杂的第一半导体层26b和p型重掺杂的第二半导体层26a，其中n型重掺杂的第一半导体层26b被布置成与p型重掺杂的第二半导体层26a相比更靠近n型掺杂的第一区域34。VCSEL具有电接触布置，该电接触布置具有第一金属触点42和第二金属触点44，其中第一金属触点和第二金属触点42，44限定如下电流路径，该电流路径引导通过隧道二极管结构26和激光二极管结构29，其方式为使得在向接触布置施加对于激光二极管结构29是反向电压、而对于隧道二极管结构26是正向电压的电压的情况下经由隧道二极管结构26导出载流子。

主权项：1.一种VCSEL，所述VCSEL具有：由半导体层构造而成的垂直谐振器结构40，所述谐振器结构具有第一布拉格反射器36、第二布拉格反射器22并且在所述第一布拉格反射器36与所述第二布拉格反射器22之间具有用于光产生的有源区32，其中在所述有源区的第一侧面上布置有p型掺杂的第一区域34，并且在所述有源区的与所述第一侧面相反的第二侧面上布置有n型掺杂的第二区域30，用以形成激光二极管结构29，其中所述谐振器结构40在所述第一布拉格反射器与所述第二布拉格反射器36，22之间还具有隧道二极管结构26，所述隧道二极管结构具有n型重掺杂的第一半导体层26b和p型重掺杂的第二半导体层26a，其中，所述n型重掺杂的第一半导体层26b与所述p型重掺杂的第二半导体层26a相比布置得更靠近所述n型掺杂的第一区域34；以及电接触组件，所述电接触组件具有第一金属触点42和第二金属触点44，其中所述第一金属触点和所述第二金属触点42，44限定如下电流路径，所述电流路径如此引导通过所述隧道二极管结构26和所述激光二极管结构29，使得在向所述接触组件施加对于所述激光二极管结构29是反向电压、而对于所述隧道二极管结构26是正向电压的电压的情况下将载流子从所述谐振器结构经由所述隧道二极管结构26导出到所述第二金属触点44中。

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