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4,5-二取代高立方烷类化合物的合成方法 

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申请/专利权人:湖南师范大学

摘要:本发明属于有机合成技术领域,公开了一种4,5‑二取代高立方烷类化合物的合成方法。该方法采用endo型3,4‑二取代三环[4.2.1.02,5]壬‑3,7‑二烯化合物作为反应底物,在光敏剂催化作用下,利用常温和惰性气体保护的条件下光照反应。发展了光催化分子内烯烃[2+2]反应合成邻位二取代高立方烷类化合物。可以以优异的产率得到高立方烷产物。该反应底物范围广,官能团兼容性强,能适用于克级反应,可运用于复杂天然产物的修饰。

主权项:1.根据权利要求1所述的如结构式桥多环二烯1a,其特征在于:其中R1、R2基团包括但不限于烷基、环烷基、苯基、酯基、吲哚基、带有给电子基团如甲基、甲氧基、环氧基、硫甲基、三氟甲氧基的苯基、带有吸电子基团如氟、氯、三氟甲基、酯基、氰基、羰基的苯基,以及带有羟基、缩醛、醚、酯基、酰胺基的烷基链等。

全文数据:

权利要求:

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