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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本实用新型涉及一种氧化铪基铁电电容器，属于微电子技术领域，解决现有存储单元中的电容器在CMOS后段工艺过程中缺乏兼容性的问题。电容器包括：衬底层，位于衬底上方；下电极，位于衬底层上方，并且经由下电极下方的金属层与晶体管连接；界面层，均匀的界面层位于下电极的上方，界面层的材料为下电极的顶部部分的氧化物；铁电介质层，位于界面层上方；上电极，位于铁电介质层上方。通过减小铁电介质层的厚度，降低操作电压，且不引起薄膜内反铁电相组分的增多，保证电容器在初始时具有较大的存储窗口。通过氧化TiN下电极产生的TiO2界面层，可以在不引起电容器铁电性退化的前提下，显著降低电容器的退火温度。
主权项：1.一种氧化铪基铁电电容器，其特征在于，包括：衬底层，位于衬底上方；下电极，位于所述衬底层上方；界面层，均匀的界面层位于所述下电极的上方，其中，所述界面层的材料为所述下电极的顶部部分的氧化物；铁电介质层，位于所述界面层上方并且所述铁电介质层的厚度减小至8nm以下；以及上电极，位于所述铁电介质层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种氧化铪基铁电电容器
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