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申请/专利权人：化合积电(厦门)半导体科技有限公司

摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种金刚石芯片及其制备方法，包括层叠设置的散热基板、第一共晶焊层、金刚石散热层、第二共晶焊层以及芯片，共晶焊层与所述金刚石散热层之间设置金属化层。通过金刚石的选择、表面处理及表面清洗检查，放入溅射设备中镀金属化层，再将金属化后的金刚石放在共晶焊设备上，实现焊接，焊接后冷却。本产品中利用金刚石的高热导性，更好发挥出芯片的性能同时增加芯片的寿命；另外，通过进一步调整焊接工艺、优化焊料、改变金属化层结构，调整焊料，使得金刚石与芯片之间的应力得到一定程度的释放，避免芯片碎裂，缩短焊接时间，解决焊接时芯片碎裂问题，获得质量合格、性能良好芯片产品。

主权项：1.一种金刚石芯片，其特征在于，包括层叠设置的散热基板、第一共晶焊层、金刚石散热层、第二共晶焊层以及芯片，所述第一共晶焊层与所述金刚石散热层之间设置有第一金属化层，所述金刚石散热层与所述第二共晶焊层之间设置有第二金属化层；所述第一金属化层和第二金属化层通过磁控溅射设备镀射形成；所述第一金属化层包括层叠设置于所述第一共晶焊层上的第一阻挡层与第一金属结合层；所述第一金属结合层为Ti层，Ti与金刚石散热层会形成TiC共价化合物；所述第一金属化层还包括第一金属抗氧化层，所述第一金属抗氧化层设置于所述第一阻挡层与所述第一共晶焊层之间；所述第一金属结合层、所述第一阻挡层和所述第一金属抗氧化层的厚度之比为1:1~2:3~6；所述第一阻挡层与所述第一金属结合层之间还设有第一中间缓冲层，所述第一中间缓冲层为Cu层或者Ag层；所述第一中间缓冲层的厚度为所述第一阻挡层的厚度为8~12倍；和或，所述第二金属化层包括层叠设置于金刚石散热层上的第二金属结合层与第二阻挡层；所述第二金属结合层为Ti层，Ti与金刚石散热层会形成TiC共价化合物；所述第二金属化层还包括第二金属抗氧化层，所述第二金属抗氧化层设置于所述第二阻挡层与所述第二共晶焊层之间；所述第二金属结合层、所述第二阻挡层和所述第二金属抗氧化层的厚度之比为1:1~2:3~6；所述第二阻挡层的材料包括Pt、Ni、Cr、W或其合金中的至少一种；所述第二阻挡层与所述第二金属结合层之间还设有第二中间缓冲层，所述第二中间缓冲层为Cu层或者Ag层；所述第二中间缓冲层的厚度为所述第二阻挡层的厚度为8~12倍。

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