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申请/专利权人：AGC株式会社
摘要：本发明提供一种单晶锭1，是包含掺杂剂的金属氧化物或拟二元化合物的生长态的单晶锭1，侧面221的长度L为50mm以上，在侧面221上具有线状的凹陷222，被侧面221包围的部分的与长度方向垂直的截面中，处于从长度方向的没有凹陷222的另一侧的端部起的长度方向的距离为50mm的位置的截面的外形除由截面与小平面的交线形成的部分以外，从理想外形30起的凹陷222的距离X的最大值为5mm以下。
主权项：1.一种单晶锭，是包含掺杂剂的金属氧化物或拟二元化合物的生长态的单晶锭，沿着与晶体提拉方向平行的长度方向的侧面的所述长度方向的长度为50mm以上，在所述侧面上具有从所述长度方向的一侧的端部沿着所述长度方向延伸的线状的凹陷，被所述侧面包围的部分的与所述长度方向垂直的截面中，处于从所述长度方向的没有所述凹陷的另一侧的端部起的所述长度方向的距离为50mm的位置的截面的外形中，包括由所述截面与小平面的交线形成的部分在内的所有部分的从理想外形起的凹陷的距离的最大值即距离Xmax为5mm以下，所述理想外形为所述截面的外形纳入内侧的最小面积的长方形或四边形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AGC株式会社 单晶锭、晶体培育用模具和单晶的制造方法
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